MOSFET MOD.660A 40V N-CH SOT227B TRENCHT4 - IXTN660N04T4

IXTN660N04T4 MOSFET Teknik Detayları

Genel Özellikler:

• MOSFET tipi: N-Kanal
• Maksimum Drain-Source Voltajı (VDS): 40V
• Maksimum Drain Akımı (ID): 660A
• Maksimum Kapı-Kaynak Voltajı (VGS): 15V
• Açık Durumda Drain-Source Direnci (RDS(on)): 0.85mΩ
• Maksimum Çalışma Sıcaklığı (TJ): 175°C
• Kapsül tipi: miniBLOC, SOT-227B

Özellikler:

• Uluslararası standart paket
• Alüminyum nitritli miniBLOC izolasyonu
• 175°C çalışma sıcaklığı
• 2500V~ izolasyon voltajı
• Yüksek akım taşıma kapasitesi
• Hızlı dahili diyot
• Çığ düşmesi derecesi
• Düşük RDS(on)

Avantajlar:

• Yorum Yap

  Adınız

  Yorumunuz

  Not: HTML'e dönüştürülmez!

  Oylama

  Kötü İyi

  Devam