MOSFET 18A 650V HIGH POWER PG-TO263-3-2 - IPB60R125CFD7ATMA1

İşte IPB60R125CFD7ATMA1 MOSFET'in bir dökümü, temel özellikleri ve genel bir açıklama:

IPB60R125CFD7ATMA1 Teknik Özellikleri

• Tip: N-Kanal Güç MOSFET'i
• Üretici: Infineon Technologies
• Paket: PG-TO263-3-2 (D2PAK)
• Drain-Source Voltajı (Vds): 650V (Maksimum)
• Sürekli Drain Akımı (Id): 18A (Maksimum)
• Gate-Source Voltajı (Vgs): ±20V (Maksimum)
• Açık Direnç (Rds(on)): Tipik değer veri sayfasında sağlanmamıştır. Maksimum değerler genellikle verilmektedir.
• Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ila +150°C

Özellikler ve Tipik Uygulamalar

• Yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır.
• Yüksek voltaj anahtarlaması için uygundur.
• Yorum Yap

  Adınız

  Yorumunuz

  Not: HTML'e dönüştürülmez!

  Oylama

  Kötü İyi

  Devam