IGBT DIS.DIODE SINGLE 27A 600V GENX3 ISOPLUS247 - IXGR48N60B3D1

İşte IXGR48N60B3D1 IGBT'nin bir dökümü ve genel özellikleri:

IXGR48N60B3D1: IGBT Ayrık Diyotlu

Tip: IGBT (Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistörü) ve dahili anti-paralel diyot

Üretici: IXYS (Littelfuse tarafından satın alındı)

Paket: ISOPLUS247 (Güç elektroniğinde kullanılan standart bir paket)

Temel Özellikler:

• Kollektör-Emitör Voltajı (Vces): 600V (Maksimum)
• Sürekli Kollektör Akımı (Ic): 27A (Maksimum)
• Gate-Emitör Voltajı (Vges): ±20V (Maksimum)
• GENX3 Teknolojisi: IXYS'in GENX3 teknolojisi, IGBT'lerin güvenilirliği ve güç yoğunluğunu artırmak için tasarlanmıştır.

Açıklama

IXGR48N60B3D1, yüksek voltaj değiştirme (anahtarlama) uygulamaları için tasarlanmıştır. Dahili anti-paralel diyotu, ters akımları yönetir ve harici bir freewheeling (serbest dönen) diyot ihtiyacını ortadan kaldırabilir.

Tipik Uygulamalar

Yorum Yap
Adınız
Yorumunuz
Not: HTML'e dönüştürülmez!
Oylama
Kötü İyi
Devam