IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V TO-268 BIMOSFET - IXBT16N170A

Datasheet

IXBT16N170A bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Diskret Diyotlu BiMOSFET'tir. Bu, esasen yüksek voltaj ve yüksek akım anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış bir hibrit güç yarı iletken cihazıdır. İşte özelliklerinin detaylı bir dökümü:

Teknik Özellikler:

• Tip: N-kanallı IGBT
• Yapı: Dahili hızlı kurtarma Diyodu ile BiMOSFET
• Kollektör-Emitör Gerilimi (Vce): 1700V
• Sürekli Kollektör Akımı (Ic): 16A
• Tepe Kollektör Akımı (Icm): 32A
• Güç Kaybı (Pd): 150W
• Kasa Tipi: TO-268 (izole tab)
• Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ila +150°C

Özellikler:

• Yüksek Gerilim Kapasitesi: 1700V'a kadar Vce, endüstriyel uygulamalar için uygundur.
• Yüksek Akım İşleme: 16A sürekli akım ve 32A tepe akımı.
• Düşük Anahtarlama Kayıpları: IGBT teknolojisinin etkinliğini sunar.
• Hızlı Kurtarma Diyodu: Anahtarlama verimliliğini ve devre güvenilirliğini artırır.
• İzole Tasarım: TO-268'deki izole edilmiş taban, yüksek voltaj devrelerinde kolay ve güvenli kullanım sağlar.

Tipik Uygulamalar:

• Motor Kontrolü: Değişken frekanslı sürücüler ve AC motor kontrolü.
• Anahtarlama Modlu Güç Kaynakları (SMPS): Yüksek verimli güç dönüşümü.
• Elektrikli Araçlar / Hibrit Araç Teknolojileri (EV/HEV): Akü yönetimi ve motor kontrolü.
• Kaynak: Yüksek güç ark kaynağı ekipmanları.
• Endüksiyonlu Isıtma: Endüstriyel ısıtma ekipmanı.

Veri Sayfası Kaynağı:

Tam veri sayfası için şu kaynaklara bakabilirsiniz:

Üretici (Littelfuse): https://m.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-igbts/bimosfet/high-voltage_bimosfets/ixbt16n170a.aspx

Distribütörler:

Digikey: https://www.digikey.com/en/products/detail/ixys/IXBT16N170A/862406

Mouser: https://www.mouser.com/ProductDetail/IXYS/IXBT16N170A?qs=t7yjd2JO%2FgTEk58wJ6RPJw%3D%3D